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為了確保滿足ASTM G151、ASTM G154、ASTM G155和ISO 4892對老化試驗噴淋用水和冷凝用水的要求，並避免在老化試驗箱內樣品表麵形成水垢。用戶需要了解不同的實驗室加速老化試驗機對用水的要求，今天我們將介紹QUV紫外老化箱，Q-SUN氙燈老化箱和Q-FOG鹽霧箱對供水的要求。
首先，除了以下三個型號(QUV/Spray，QUV無噴淋型老化箱和Q-FOG CRH鹽霧箱)，Q-LAB統一了不同型號的加速老化箱的用水要求。具體查看下表：
| 試驗箱型號 | 電阻率(Ω-cm) | 導電性(μS/cm) | 總溶解固體 (ppm) | 膠態二氧化矽(ppm) | PH |
| QUV/basic，QUV/se 和QUV/cw | 常規水即可 | ||||
| QUV/spray，Q-FOG CRH | > 5M | < 0.2 | < 0.1 | < 0.1 | 6-8 |
| 其他型號設備 | > 200k | < 5 | < 2.5 | not specified | 6-8 |
第二，在帶水噴淋的氙燈試驗箱中，除了去離子水之外，還需要一個反滲透係統，防止樣品上出現水漬。
在供水係統中，有些型號對用水要求會更嚴格，有些則相對寬鬆。詳細如下：
Q-SUN Xe-3-H氙燈老化箱過去要求水的電阻率大於500 kω-cm，研究表明這一條件高於必要值。
Q-FOG SSP鹽霧試箱，Q-FOG CCT鹽霧腐蝕試驗箱和Q-SUN Xe-2氙燈加速老化機過去要求水電阻率大於50kω。然而，研究表明，這不足以防止礦物結垢和積聚。此外，大多數鹽霧試驗標準要求純水電阻> 200kω-cm。此外，達到200kω的水純度不再困難或增加成本，使用反滲透或去離子裝置即可輕鬆實現。
現在，Q-LAB建議在Q-SUN氙燈老化試驗箱中使用RO/DI(反滲透/去離子)水進行噴淋。注意：Q-ALB為QUV/spray紫外線老化箱和Q-SUN氙燈老化箱配備了水再淨化係統，但該係統不能代替RO/DI係統。
水再淨化係統存在的問題
首先，原有的水淨化係統去除矽膠的效率隨著時間的累積會越來越低。這可能導致快速結垢，就像我們在實驗室中經常看到的那樣。相比之下，反滲透係統可以在相對長的時間內持續有效地運行，而不會將二氧化矽重新投放到水中。
第二，隻有當用於處理低礦物質含量的水時，原有的水淨化係統才是高度經濟的，大多數有地表水源的城市，如克利夫蘭就是這種情況。然而，如果水源來自地下水，如在亞利桑那州和鳳凰城，這種地下水具有相對較高的礦物質含量，因此用反滲透處理更經濟。要點是單獨的反滲透不能滿足500 kω-cm以上的純度水平，並且需要將水去離子以滿足純度要求。
值得注意的是，並非所有出現在樣品表麵的二氧化矽斑點都是由水中的雜質引起的。也可能是材料降解造成的。除了Q-SUN氙燈老化是化試驗箱，這些斑點也可能在自然老化過程中出現。如果在使用QUV紫外老化箱，Q-SUN氙燈老化箱和Q-FOG鹽霧箱的過程中遇到供水用水問題，可以找我們解決。
